Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Тема в разделе "Разное", создана пользователем Salifov, 23 окт 2014.

  1. Salifov

    Salifov Харитон В.

    Красников Геннадий Яковлевич
    Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

    [​IMG]

    Издательство: Техносфера
    Жанр: Нанотехнологии

    Качество: Хорошее
    Страниц: 800
    Формат: pdf, fb2, epub

    В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
     

    Вложения:

  2. Suspect

    Suspect Матвей

    Спасибо
     

  3. Salifov

    Salifov Харитон В.

    Пожалуйста.
     

Поделиться этой страницей